PROLIST
產(chǎn)品展示您的位置 >> 首頁 > 產(chǎn)品展示 > 電力檢修儀器儀表 > ZDBR-B變壓器損耗測(cè)試儀 > ZDJS-B變壓器介質(zhì)損耗測(cè)試儀
ZDJS-B變壓器介質(zhì)損耗測(cè)試儀是發(fā)電廠、變電站等現(xiàn)場(chǎng)或?qū)嶒?yàn)室測(cè)試各種高壓電力設(shè)備介損正切值及電容量的高精度測(cè)試儀器。儀器為一體化結(jié)構(gòu),內(nèi)置介損測(cè)試 電橋,可變頻調(diào)壓電源,升壓變壓器和SF6 高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器。測(cè)試高壓源由儀器內(nèi)部的逆變器產(chǎn)生,經(jīng)變壓器升壓后用于被試品測(cè)試。頻率可變?yōu)?5Hz或55Hz,55Hz或65Hz,采用數(shù)字陷波技術(shù),避開了工頻電場(chǎng)對(duì)測(cè)試的干擾,從根本上解決了強(qiáng)電場(chǎng)干擾下準(zhǔn)
介損、介損電容量、變壓器介質(zhì)損耗角、CVT變比測(cè)試、異頻介損、高壓介質(zhì)損耗測(cè)試、變壓器介質(zhì)損耗測(cè)試儀
◆DL/T 962-2005 《高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀通用技術(shù)條件》
◆DL/T 474.3-2006 《現(xiàn)場(chǎng)絕緣試驗(yàn)實(shí)施導(dǎo)則 第3部分:介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ試驗(yàn) 》
◆DL/T 848-2004 《高壓試驗(yàn)裝置通用技術(shù)條件》
◆DL/T 596-2005 《電力設(shè)備預(yù)防性試驗(yàn)規(guī)程》
◆GB1094.1-GB1094.6-96 《外殼防護(hù)等級(jí)》
◆GB2900 《電工名詞術(shù)語》
◆GB/T16927.1~2-1997 《高電壓試驗(yàn)技術(shù)》
◆GB4793-1984 《電子測(cè)量?jī)x器安全要求》
◆GB191 《包裝貯運(yùn)標(biāo)志》
◆GB/T.311-1997 《高壓輸變電設(shè)備的絕緣與配合》
◆超大液晶中文顯示
儀器配備了大屏幕(105mm×65mm)中文菜單界面,屏顯分為左右兩部分,左邊為功能菜單區(qū),右邊為相關(guān)狀態(tài)信息提示,每一步都非常清楚,操作人員不需要專業(yè)培訓(xùn)就能使用。一次操作,微機(jī)自動(dòng)完成全過程的測(cè)量,是目前非常理想的介損測(cè)量設(shè)備。
◆海量存儲(chǔ)數(shù)據(jù)
儀器內(nèi)部配備有日歷芯片和大容量存儲(chǔ)器,能將檢測(cè)結(jié)果按時(shí)間順序保存,隨時(shí)可以查看歷史記錄,并可以打印輸出;
◆科學(xué)*數(shù)據(jù)管理
儀器數(shù)據(jù)可以通過U盤導(dǎo)出,可在任意一臺(tái)PC機(jī)上通過我公司軟件,查看和管理數(shù)據(jù)并可生成工作報(bào)告。
◆多種測(cè)試模式
儀器能夠分別使用內(nèi)高壓、外高壓、內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)、外標(biāo)準(zhǔn)、正接法、反接法、自激法等多種方式測(cè)試;在外標(biāo)準(zhǔn)外高壓情況下可以做高電壓(大于10kV)介質(zhì)損耗。
◆CVT測(cè)試一步到位
該儀器還可以測(cè)試全密封的CVT(電容式電壓互感器)C1、C2的介損和電容量,實(shí)現(xiàn)了C1、C2的同時(shí)測(cè)試。該儀器還可以測(cè)試CVT變比和電壓角差。
◆高速采樣信號(hào)
儀器內(nèi)部的逆變器和采樣電路全部由數(shù)字化控制,輸出電壓連續(xù)可調(diào)。
◆多重保護(hù)安全可靠
儀器具備輸入電壓波動(dòng)、輸出短路、過壓、過流、溫度等多重保護(hù)措施,保證了儀器安全、可靠。儀器還具備接地檢測(cè)功能,確保不接地設(shè)備不允許升壓。
1 | 使用條件 | -15℃∽40℃ | RH<80% | ||
2 | 抗干擾原理 | 變頻法 | |||
3 | 電 源 | AC 220V±10% | 允許發(fā)電機(jī) | ||
4 | 高壓輸出 | 0.5KV∽10KV | 每隔0.1kV | ||
精 度 | 2% | ||||
zui大電流 | 200mA | ||||
容 量 | 1500VA | ||||
5 | 自激電源 | AC 0V∽50V/15A | 45HZ/55HZ | ||
6 | 分 辨 率 | tgδ: 0.001% | Cx: 0.01pF | ||
7 | 精 度 | △tgδ:±(讀數(shù)*1.0%+0.040%) | |||
△C x :±(讀數(shù)*1.0%+1.00PF) | |||||
8 | 測(cè)量范圍 | tgδ | 無限制 | ||
Cx | 15pF < Cx < 300nF | ||||
10KV | Cx < 60 nF | ||||
5KV | Cx < 150 nF | ||||
1KV | Cx < 300 nF | ||||
CVT測(cè)試 | Cx < 300 nF | ||||
9 | CVT變比范圍 | 10∽10000 | |||
CVT變比精度 | 0.1% | ||||
CVT變比分辨率 | 0.01 | ||||
10 | 外型尺寸 | 430(L)×330(W)×330(H) | |||
11 | 存儲(chǔ)器大小 | 80 組 支持U盤數(shù)據(jù)存儲(chǔ) | |||
12 | 重 量 | 28 Kg |